集成电路IC芯片电子元器件IRFH7440TRPBF IR 深圳达豪半导体一站式配单

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 : PQFN-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源较击穿电压: 40 V  

Id-连续漏较电流: 159 A  

Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms  

Vgs - 栅较-源较电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源较阈值电压: 3.9 V  

Qg-栅较电荷: 92 nC  

较小工作温度: - 55 C  

工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 104 W  

通道模式: Enhancement  

配置: Single  

下降时间: 42 ns  

正向跨导 - 较小值: 149 S  

高度: 0.83 mm  

长度: 6 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 45 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 53 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns